realme骁龙8+新旗舰将配备立体双VC散热，面积达4811mm²

今日，realme公布了即将发布的真我GT2大师探索版的散热结构拆解图。官方表示，此次新机搭载的双VC冰芯散热MAX 将是真我史上最强散热。

据介绍，它区别于常规的单面传导，而是采用三明治立体双VC结构，VC面积高达惊人的4811m㎡，号称可以“针对热源前后夹击，散热堪比专业游戏手机”。

此前，Redmi K50电竞版也曾提出过双VC散热的概念，但二者不同的地方在于，Rdmi是将处理器与充电IC两大发热芯片分离开，再分别单独配备VC均热板进行散热，本质上还是单面传导。

据悉，该机将在7月12日发布，主打质感和性能体验的真我GT2大师探索版通过立体结构双VC设计，能否在散热上更进一步，我们不妨拭目以待。

延伸阅读：

• 真我GT2大师探索版下月亮相，售价或3000元左右