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SK海力士:未来DRAM会进入10nm以下工艺

2021-03-22 16:42 泡泡网   

3月22日消息,在近期的世界电气电子学会(IEEE)国际可靠性研讨会(IRPS)中, SK海力士代表理事社长李锡熙表示:在今后会改变内存的材质,并且还会进一步改善设计结构和可靠性。

SK海力士:未来DRAM会进入10nm以下工艺

根据SK海力士方面的说法,未来DRAM产品的制造工艺会逐步推进到10nm及以下工艺。

而在NAND产品上,SK海力士认为未来的NAND产品将堆叠到600层以上,并且实现元超过HDD(机械硬盘)的超大容量。并且根据其说法:“到2030年,将全世界所有数据中心的硬盘(HDD)更换为低功耗的SSD,可减少4100万吨二氧化碳排放。”

作者:陈梓泓

 

责任编辑: 3976DBC

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