SK海力士：未来DRAM会进入10nm以下工艺

3月22日消息，在近期的世界电气电子学会(IEEE)国际可靠性研讨会(IRPS)中， SK海力士代表理事社长李锡熙表示：在今后会改变内存的材质，并且还会进一步改善设计结构和可靠性。

根据SK海力士方面的说法，未来DRAM产品的制造工艺会逐步推进到10nm及以下工艺。

而在NAND产品上，SK海力士认为未来的NAND产品将堆叠到600层以上，并且实现元超过HDD（机械硬盘）的超大容量。并且根据其说法：“到2030年，将全世界所有数据中心的硬盘(HDD)更换为低功耗的SSD，可减少4100万吨二氧化碳排放。”

作者：陈梓泓