QLC闪存差劲？寿命更短的PLC闪存来了

在过去6个季度里，NAND闪存芯片价格不断下跌，上游厂商痛苦不堪，不过众多消费者总算可以用上便宜容量还大的SSD了，目前大容量的SSD已经基本可以取代HDD成为主流的装机硬件了，不过将来NAND闪存如何继续发展仍然是一个问题。

目前已知提高3D NAND闪存容量的方法主要是提高队栈层数和提高闪存容量、降低成本，就前者而言，今年有多家NAND公司已经开始量产96层堆栈的3D闪存，而且最近三星还发布了136层堆栈、256Gb（32GB）的第六代V-NAND TLC闪存，其他厂商应该也会跟进堆栈层数，推出更新的产品。

另一个提高闪存容量、降低成本的方式主要是通过提高闪存cell单元的bit位元，所以在产品类别上有SLC、MLC、TLC和QLC闪存之分，它们每个单元分别可储存1bit、2bit、3bit、4bit位元，主控则需控制2组、4组、8组、16组不同的电压，结构越来越复杂，写入性能和可靠性也在下降。

QLC闪存自问世以来，就以很快的速度进入了存储市场，而且产品的性能指标也很好，不过大部分消费者QLC闪存的评价并不高，主要因为没有SLC缓存和DRAM缓存来提高性能，导致QLC闪存的原始写入性能甚至连机械硬盘都不如；除此之外，寿命也是一个比较大的问题，目前主流的TLC固态硬盘能够在常规使用下保持10年以上的寿命，而QLC的寿命就比较不靠谱了，当然QLC的硬盘容量足够大也能一定程度解决寿命不足的问题。

而除了QLC闪存，寿命更短的PLC闪存也即将到来。在最近的2019 FMS国际闪存会议上，东芝就已经开始讨论PLC闪存，虽然还没有表明实际的规格和性能，但应该会比QLC性能更差，更不耐用，不过之后固态硬盘的价格应该和容量也终于有机会赶超机械硬盘了。

作者：王稀仕