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2019年4月16日消息，今日三星官方在网站上发布信息，宣称三星电子目前已经完成了5纳米EUV开发，将会让芯片实现更大的拓展面积，同时降低功耗。
据三星电子称，5纳米FinFET工艺技术的开发已经完成，目前已经可以给客户提供样品，与目前应用的7纳米工艺技术相比，5纳米FinFET工艺技术可以将芯片的逻辑区域效率提高25%，性能提升10%，功耗降低20%，可以带来更多的创 新的标准单元架构。
作者： 陈晟
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