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三星官方宣布:已完成5纳米EUV工艺研发
2019-04-16 18:34 驱动中国   

2019年4月16日消息,今日三星官方在网站上发布信息,宣称三星电子目前已经完成了5纳米EUV开发,将会让芯片实现更大的拓展面积,同时降低功耗。

据三星电子称,5纳米FinFET工艺技术的开发已经完成,目前已经可以给客户提供样品,与目前应用的7纳米工艺技术相比,5纳米FinFET工艺技术可以将芯片的逻辑区域效率提高25%,性能提升10%,功耗降低20%,可以带来更多的创 新的标准单元架构。

作者: 陈晟

责任编辑: 3976DBC

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