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三星公布首款单芯片1TB嵌入式通用闪存,S10系列或将率先搭载
2019-02-01 17:52 驱动中国   

 

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2019年1月30日消息 三星电子今日公布了全球首款单芯片1TB UFS2.1闪存,该款嵌入式闪存标志着智能存储将迈入TB级别。

据三星官方介绍,该闪存是将16个堆叠的三星512千兆位(Gb)V-NAND闪存和新开发的专有闪存控制器组合在一起。相比之前的512G版本,在相同封装尺寸内,1TB的 eUFS解决方案将容量提升了一倍,新的eUFS速度高达1000MB/s,随机读写分别为58000 IOPS和50000 IOPS,相比512GB提升38%。

同时这也意味着三星今年的旗舰机型上都将会有1TB存储的版本,最先搭载的应该就是即将亮相的三星 S10系列。

 作者: 张良

责任编辑: 3976DBC TO006

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